雖然連續浮雕微光學器件的制作也有采用非光刻技術的。但光刻技術在實現連續浮雕上更常用也更占有重要地位。重慶浮雕因此有必要從光刻技術角度出發。來首先討論光刻膠。在微電子學上使用的光刻膠的厚度通常不超過1μm.由微電子學派生的二元光學器件制作工藝中使用的膠層厚度亦是如此。

除了薄的膠層厚度。這種膠通常還具有高對比度的特點。顯然。光刻膠的這兩個特點對提高圖形的銳度和分辨率是有利的。另一方面一種稱為的立體對象制作技術中。其使用的膠層可以非常厚。達以上，這種厚膠有助于產生高深寬比的三維結構。但它有賴于高能的和高度準直的X射線及其配套的特殊掩模在連續浮雕微光學器件制作中使用的膠層厚度通常在以下。這有兩方面的原因：微光學器件尤其是衍射型器件的表面微結構的縱向尺度通常在波長量級；在采用直接寫入模式時。須考慮到寫入光束的焦深限制。除了膠層厚度。連續重慶浮雕制作中的光刻膠還應有低的對比度和寬闊的線性區。以響應曝光量的連續變化。而這與微電子工業或二元光學器件制作中所使用的膠的特性是有很大區別的。

除了選用連續浮雕光刻專用的光刻膠。那些傳統的光刻膠仍可以通過適當改造后用于連續重慶浮雕的制作。這些改造可分別從如下幾方面著手〕.首先。通過預曝光克服光刻膠的開關效應理想的超大規模集成電路用膠經顯影后。未曝光部分無變化。曝光部分全部剝離。要求有大的深度反差。膠層曝光能量閡值的存在。對于二元光學器件的制作是有利的。由于分辨率有限及雜散光等因素。掩模的邊緣光能陡度不夠。開關的存在很大程度上抑制了過渡區。連續元件對光刻膠的要求與二元光學器件不同。后者表面細微的起伏是通過對變化能璧的枯細響應獲得的。

由于信號高頻部分的能蘭權重常常很低。如果光刻膠存在感光閡值。則這些浮雕的細節會因此被抑制掉而導致圖形失真圖所示是典型的光刻膠的深度曝光量曲線。它表明曝光時間在5秒以下的信息將被截止丟失。當然。曝光時間大于40秒的信息也將被飽和丟失。能量閩值的存在是由于光刻中光墩劑的光化學反應，在形成潛像前需要足夠的能量使上述過程不致逆向反應。較為有效的方法是通過預曝光使膠在接收圖像前就越過能里閡值。這樣。制作光刻膠元件時。保證膠接收到的每一點來自圖像的細微能量都能線性地引起光化學反應。。。